IVE国际高新资格认证-电子电路基础设计初级(1门)试卷

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IVE国际高新资格认证-电子电路基础设计初级(1门)试卷

正在加载试卷中..请等待加载完毕才能答题..网页加载中.. 总分：100分答题时间：60分钟开卷日期：2024/5/21 18:03:05

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电子电路基础设计

1：单选(2.5分) 将以下与或表达式

变换成与非-与非表达式，正确的结果是（　　　）。
A

fFdc]A;3=V=
B

h&KB2@Lvej^X4M
C

1Y7n5Kzyu:niI
D

0)ORUL
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2：单选(2.5分) 欲使JK触发器按Qn+1=Qn工作，可使JK触发器的输入端为（　　　）。
      A J=K=0uCB;o2C/`
      B J=0，K=1_Ps;uIH4*M%=8qF\x
      C J=1，K=0ldkod;
      D J=K=18W&ZjCRw[f&^%.
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3：单选(2.5分) 用CMOS或非门构成的微分型单稳态触发器如下图所示，输出脉冲宽度Tw为（　　）。

      A 1.1RC7c40Yp+V2vqJ
      B 0.7RCZ&^W'zOB=
      C 0.9RC=4IlO?#H
      D 1.4RC:UpGrn^?
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4：单选(2.5分) 用两片74LS138的8位输出通过级联实现4/16线译码的16位输出时，低位芯片的

和

应接至（　　　）。
A

@VnFH=+u@:7S
B

63KmyrWi5.I#cLw(
C

g:V4nlbTfF
D

ee$+/C*HnBt`u^PRj
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5：单选(2.5分) 欲使JK触发器按

工作，3可使JK触发器的输入端为（　　　）。'
      A J=K=0E0)E4c`eX.ietU
      B J=0，K=14,[d$GfLhPJd
      C J=1，K=0tcZ[B4
      D J=K=1&@zlTV(MA?s%V7NR
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6：单选(2.5分) 二进制数(0.1101)2转换为等值的十进制数为（　　　）。
      A (0.875)10[sQ)8MvbelQA
      B (0.8125)10eHrvUn/lBD7rA*
      C (0.625)10nDSO::k1#
      D (0.5)10sZ\@L4MF
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7：单选(2.5分) 用4选1数据选择器实现逻辑函数

，数据输入端的接法是（　　　）。
      A D0=0,D1=D2=C,D3=1BIR\a:^]
      B D0=D3=0,D1=D2=CDw,eHc?h\@xbD
      C D0=D3=1,D1=D2=CvL@Ve2(.3zVs&'l5
      D D0=1,D1=D2=C,D3=08W&ZjCRw[f&^%.
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8：单选(2.5分) 用555定时器组成的触摸式控制开关的电路如下图所示。当用手触摸按钮时，灯能亮的时间为（　　　）。

      A 15.4s7c40Yp+V2vqJ
      B 22sZ&^W'zOB=
      C 24.2s=4IlO?#H
      D 30.8s:UpGrn^?
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9：单选(2.5分) 空间电荷区是由( )构成的。
      A 电子@VnFH=+u@:7S
      B 空穴63KmyrWi5.I#cLw(
      C 离子g:V4nlbTfF
      D 质子ee$+/C*HnBt`u^PRj
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10：单选(2.5分)

各电路中，（　　　）可以产生脉冲定时。
      A 多谐振荡器',nyp)jo
      B 单稳态触发器@hk%3;Mr=((V2s?_S
      C 施密特触发器3BuiXIpboq0;@A
      D 石英晶体多谐振荡器Z:jJcNew=X/qR,=f-
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11：单选(2.5分) 如下图所示，利用两片集成计数器74LS161级联后的计数器为（　　）进制的计数器。

      A 64qgx)36r^Du0v_hJg
      B 88tOOi^_tg8g
      C 89f=eGgBV5k3D/=58z
      D 136?u.gr=r2q
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12：单选(2.5分) 为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率fs和输入模拟信号的最高频率fimax的关系是（　　　）。
      A fs≥fimaxy+q#B[F8UH%YpJD\
      B fs≤fimax4IerUta(;N/Rk59
      C fs≥2fimaxyfgmh/J\)JAk=
      D fs≤2fimax'5m=f)
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13：单选(2.5分) PN结的最大特点是( )。
      A 存在自由电子和空穴两种离子Z&^W'zOB=
      B 正向导通，反向截止=4IlO?#H
      C 正向截止，反向导通:UpGrn^?
      D 由P型半导体和N型半导体构成@VnFH=+u@:7S
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14：单选(2.5分) 8位移位寄存器，串行输入时经（　　）个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
      A 163KmyrWi5.I#cLw(
      B 2g:V4nlbTfF
      C 4ee$+/C*HnBt`u^PRj
      D 8',nyp)jo
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15：单选(2.5分)

制译码器充当组合逻辑函数发生器时，若译码器输出低电平有效，需用（　　　）和译码器配合。
      A 或门=.8KmP6Ck^^JN/*)
      B 与非门`qLr%XIuH2_Rb2?
      C 非门UX7oDcNIl6efo?)0s
      D 或非门m-DOlK[/rSfk$$6
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16：单选(2.5分) 用555定时器组成的电子门铃如下图所示。当按下按钮开关S时，电子门铃以1 kHz的频率响10s，555（1）是（　　　）电路。

      A 多谐振荡器B&7.Mvu#,T
      B 单稳态触发器l8R%[x4fIdYV(
      C 施密特触发器?gw*BNG
      D JK触发器Rq`/q:L@xD
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17：单选(2.5分) 由CMOS与非门及反相器构成的微分型单稳态触发器如下图所示，其输出脉宽Two 为（　　）。

      A 0.714msdMn+aTrF
      B 0.51ms?H^apMXqa.
      C 0.357ms^/fwZZS3OSE)ks
      D 0.561msNN;Ux=
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18：单选(2.5分) 函数F的卡诺图如下图所示，则其表达式可写为（　　　）。

#S:cG=8?@c^.nV,)R
B

wvpQcAgm
C

'jRgRef4
D

,2h.R4y(M
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19：单选(2.5分) 以下表达式中符合逻辑运算法则的是（　　　　）。
      A C·C=C24:V6%,6$]B@AvwHc)
      B 1+1=10?\jTTy
      C 0<1qM[nmrn#5YOzf
      D A+1=1n+6=tvgNm
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20：单选(2.5分) 等于(36.7)10的8421BCD编码是（　　　）。
      A (0110110.101)8421BCD_6V(W,DQs1D@?fHgK
      B (0011110.1110) 8421BCD6_1#oV11*#v
      C (00110110.0111) 8421BCDiv+gW#j9S=n^j*u9
      D (110110.111) 8421BCDiYyY&Oo\'=2p5
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21：多选(3分) PN结中扩散电流的方向是( )，漂移电流的方向是( )。
      A 从P区到N区1?s[o/v?gu5mOw
      B 只在N区plt7?t]8fE
      C 从N区到P区b[2mHV?^Aiy$YI#D
      D 只在P区:;S4SR[[
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22：多选(3分)

半导体中的少数载流子是( )，N型半导体中的少数载流子是( )。
      A 自由电子lU\34L/Cuc=D\MN`
      B 空穴eK`qi'&f`&:d#TR]=
      C 中子1\%iH[qr:tq[+To=\
      D 质子aw=#z+
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23：多选(3分) 逻辑变量的取值１和０可以表示（　　　）。
      A 开关的闭合、断开\E)$6\]JUt+Xs\rN
      B 电位的高、低*5wAKam`R815
      C 真与假bl/L4Va[?Wk&11y6p
      D 电流的有、无kC_TIMeFxtLB-e
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24：多选(3分) TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入(　　　）相当于输入逻辑“1”。
      A 悬空r_XMXr
      B 通过电阻2.7kΩ接电源:'HBo%E%F(_3
      C 通过电阻2.7kΩ接地_6V(W,DQs1D@?fHgK
      D 通过电阻510Ω接地6_1#oV11*#v
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25：多选(3分) 下列集成计数器中属于十进制计数器的有（　　）。
      A 74LS160iv+gW#j9S=n^j*u9
      B 74LS161iYyY&Oo\'=2p5
      C 74LS1621?s[o/v?gu5mOw
      D 74LS163plt7?t]8fE
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26：多选(3分) 金属导体中的载流子是( )；半导体中的载流子是( )。
      A 自由电子b[2mHV?^Aiy$YI#D
      B 空穴:;S4SR[[
      C 离子lU\34L/Cuc=D\MN`
      D 自由电子和空穴eK`qi'&f`&:d#TR]=
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27：多选(3分) 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与( )有很大关系,而多数载流子的浓度则主要取决于( )。
      A 温度1\%iH[qr:tq[+To=\
      B 掺杂工艺aw=#z+
      C 杂质浓度\E)$6\]JUt+Xs\rN
      D 杂质类型*5wAKam`R815
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28：多选(3分) 常用的代数化简方法有（　　　　）。
      A 并项法bl/L4Va[?Wk&11y6p
      B 吸收法kC_TIMeFxtLB-e
      C 消去法r_XMXr
      D 配项法:'HBo%E%F(_3
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29：多选(3分) 在本征半导体中掺入微量的( )价元素，形成P型半导体；掺入微量的( )价元素，形成N型半导体。
      A 二_6V(W,DQs1D@?fHgK
      B 三6_1#oV11*#v
      C 四iv+gW#j9S=n^j*u9
      D 五iYyY&Oo\'=2p5
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30：多选(3分) 下列各式中属于反演律(摩根定律)的公式是（　　）。
A

1?s[o/v?gu5mOw
B

plt7?t]8fE
C

b[2mHV?^Aiy$YI#D
D

:;S4SR[[
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31：判断(2分) 在P型半导体中，掺入高浓度的五价杂质可以改型为N型半导体。
      A 正确lU\34L/Cuc=D\MN`
      B 错误eK`qi'&f`&:d#TR]=
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32：判断(2分)

结可以看作一个电容，空间电荷区相当于介质，P区和N区则为导体。
      A 正确1\%iH[qr:tq[+To=\
      B 错误aw=#z+
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33：判断(2分) 逻辑电平0和1不表示具体的数量而是一种逻辑值。（　　　）
      A 正确\E)$6\]JUt+Xs\rN
      B 错误*5wAKam`R815
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34：判断(2分) 触发器次态

与R、S及现态

之间关系的逻辑表达式称为触发器的特性方程。（　　　）
      A 正确bl/L4Va[?Wk&11y6p
      B 错误kC_TIMeFxtLB-e
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35：判断(2分) 因为A＋AB＝A，故若两边同时减A，可得出AB=0。（　　　）
      A 正确r_XMXr
      B 错误:'HBo%E%F(_3
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36：判断(2分) 用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。（　　　）
      A 正确_6V(W,DQs1D@?fHgK
      B 错误6_1#oV11*#v
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37：判断(2分) 集成移位寄存器74LS175在CP=1期间具有数据保持功能。（　　）
      A 正确iv+gW#j9S=n^j*u9
      B 错误iYyY&Oo\'=2p5
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38：判断(2分) 凡是卡诺图中存在相切而不相链（相交）的包围圈（方格群）的逻辑函数都存在着竞争-冒险现象。（　　）
      A 正确1?s[o/v?gu5mOw
      B 错误plt7?t]8fE
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39：判断(2分) 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运动都不再进行。
      A 正确b[2mHV?^Aiy$YI#D
      B 错误:;S4SR[[
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40：判断(2分)

制数9比十六进制数9小。（　　　）
      A 正确lU\34L/Cuc=D\MN`
      B 错误eK`qi'&f`&:d#TR]=
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